Kvantnomehaničko modeliranje u Monte Carlo simulacijama MOS struktura : doktorski rad / Dalibor Grgec ; [mentor Petar Biljanović]
By: Grgec, Dalibor
.
Contributor(s): Biljanović, Petar [ths].
Material type: 
TextPublisher: Zagreb : D. Grgec ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2011Description: xi, 222 str. : graf. prikazi ; 30 cm + CD.Summary: U disertaciji je opisano jedno moguće rješenje unaprijeđenja Monte Carlo simulatora elektroničkih elemenata za simulaciju nanometarskih MOS struktura. Kvantnomehanički modeli za Monte Carlo simulatore elektroničkih elemenata su izvedeni, implementirani i validirani. Modeli su bazirani na pojednostavljenoj fizikalnoj teoriji, ali pažljivo usklađeni sa relevantnim mjerenjima testnih struktura. Implementirani modeli su uspješno validirani na MOS strukturama reprezentativnim za suvremene integrirane sklopove. Dobiveni rezultati su vjerodostojni te dobro usporedivi sa mjerenjima i drugim simulatorima. Dodatno računalno vrijeme simulacija uslijed implementiranih modela je umjereno i prihvatljivo. - Ključne riječi: numerika, elektronika, element, modeliranje, simulacija, kvantnomehanički, Monte Carlo, MOSSummary: One possible solution of improving Monte Carlo device simulators for simulation of nanometer scale MOS electron devices is described. Quantum models for Monte Carlo device simulators were developed, implemented and tested. Developed models are based on simplified physical theory, but carefully adjusted to match crucial measurements of test structures. Implemented models were successfully tested on MOS devices representative of contemporary integrated circuits. Obtained results were plausible and comparable with other simulators and measurements. The overhead simulation time due to model implementation is moderate and acceptable. - Keywords: numeric, electronics, device, modelling, simulation, quantum mechanical, Monte Carlo, MOS
| Item type | Current location | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | Item holds |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Doktorska disertacija
|
Središnja knjižnica KF | KF-4469 | 28998 | Available | 0000000839471 | ||
|
Doktorska disertacija
|
Središnja knjižnica | KF-4469 | 28999 | 1 | 0000000839488 | ||
|
Doktorska disertacija
|
Središnja knjižnica | KF-4469 | 28999/cd | 1 | 0000000839495 |
Na spor. nasl. str.: Quantum mechanical modelling in Monte Carlo simulations of MOS structures : doctoral thesis. - Doktorski rad je izrađen na Sveučilištu u Zagrebu Fakultetu elektrotehnike i računarstva, Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave
Bibliografija: str. 188-201. - Kazalo oznaka i kratica: str. 206-216. - Kazalo pojmova: str. 217-218. - Sažetak na eng. i hrv.
U disertaciji je opisano jedno moguće rješenje unaprijeđenja Monte Carlo simulatora elektroničkih elemenata za simulaciju nanometarskih MOS struktura. Kvantnomehanički modeli za Monte Carlo simulatore elektroničkih elemenata su izvedeni, implementirani i validirani. Modeli su bazirani na pojednostavljenoj fizikalnoj teoriji, ali pažljivo usklađeni sa relevantnim mjerenjima testnih struktura. Implementirani modeli su uspješno validirani na MOS strukturama reprezentativnim za suvremene integrirane sklopove. Dobiveni rezultati su vjerodostojni te dobro usporedivi sa mjerenjima i drugim simulatorima. Dodatno računalno vrijeme simulacija uslijed implementiranih modela je umjereno i prihvatljivo. - Ključne riječi: numerika, elektronika, element, modeliranje, simulacija, kvantnomehanički, Monte Carlo, MOS
One possible solution of improving Monte Carlo device simulators for simulation of nanometer scale MOS electron devices is described. Quantum models for Monte Carlo device simulators were developed, implemented and tested. Developed models are based on simplified physical theory, but carefully adjusted to match crucial measurements of test structures. Implemented models were successfully tested on MOS devices representative of contemporary integrated circuits. Obtained results were plausible and comparable with other simulators and measurements. The overhead simulation time due to model implementation is moderate and acceptable. - Keywords: numeric, electronics, device, modelling, simulation, quantum mechanical, Monte Carlo, MOS
There are no comments for this item.